Gamma-X（GMX）N型高純鍺（HPGe）同軸輻射探測器

GAMMA-X系列探測器采用ORTEC生長的鍺晶體設(shè)計，該晶體經(jīng)我們位于田納西州橡樹嶺的制造工廠加工。探測器由N型鍺制成，具有擴散Li的內(nèi)部接觸面和離子注入硼的外部超薄接觸面。

GAMMA-X探測器在高能量和低能量下異常地表現(xiàn)出的效率。ORTEC提供GMX系列HPGe探測器，相對效率從10％到100％甚至更高。

ORTEC擁有一系列HPGe探測器。其中一些具有“超級規(guī)格”，即保證的能量分辨率優(yōu)于通常的保證規(guī)格。

GAMMA-X探測器的高低能量性能
GAMMA-X探測器的高能量性能由其相對效率、分辨率和其在60Co時的峰康比定義。

該探測器的低能量性能由其在5.9keV的分辨率、其有效表面積和探測器窗口厚度定義。

GAMMA-X探測器的入射接觸面厚度由現(xiàn)成源的兩個峰的面積比來描述。選擇的峰來自109Cd的88-keV伽馬射線和來自相同源的22.16-keV Ag K x射線。保證窗口衰減率為20。

22 keV峰值/88 keV峰面積
該規(guī)格量化了GAMMA-X探測器中入射窗口的薄度。來自109Cd源22keV和88 keV譜線的γ射線的自然比率約為21：1。GAMMA-X探測器通常顯示>20：1的比率。

鈹窗
70毫米（2.75英寸）或76毫米（3英寸）直徑端蓋（10至~35%）的GMX探測器配有直徑為51毫米（2英寸）的Be窗口。83毫米（3.25英寸）直徑端蓋（約30至65％）的GMX探測器配有直徑為64毫米（2.5英寸）的Be窗口。這些窗口為0.020英寸厚并在5.9-keV時具有~95％的透射系數(shù)。95毫米（3.75英寸）直徑端蓋（約60至100％）的探測器配有直徑為84毫米（3.3英寸）的Be窗口，該窗口為0.030英寸厚。

高壓禁止和高速率指示
GAMMA-X探測器具有高壓禁止和高速率指示保護功能。如果LN2耗盡且探測器在施加高壓偏壓時開始回溫（使用659型偏壓電源時），則高壓會自動關(guān)閉，以保護FET免受損壞。這通過溫度傳感器（位于探測器后面的底座上）實現(xiàn)，該溫度傳感器用于在分子篩脫氣并產(chǎn)生危險的高壓電弧之前關(guān)閉高壓。使用回溫探測器的高泄漏電流來關(guān)閉高壓可能導(dǎo)致FET和探測器損壞。

抗中子損傷
在GAMMA-X探測器中，收集電子是主要的過程。快中子將產(chǎn)生空穴俘獲中心；也就是說，帶負(fù)電的缺陷會捕獲空穴而不是電子。

因此，與空穴俘獲為主要過程的同軸Ge設(shè)備相比，空穴俘獲為次要過程的GAMMA-X探測器對輻射損傷基本上不敏感。這些理論上的猜測已經(jīng)通過實驗得到證實。

應(yīng)該注意的是，一旦發(fā)生嚴(yán)重的輻射損傷，“最長里程”可以通過避免將探測器循環(huán)到室溫來獲得。對于p型或n型Ge探測器也是如此。然而，對于輕微損傷的GAMMA-X探測器（~0.1 keV衰減），回溫循環(huán)甚至長時間室溫保存都不會產(chǎn)生不利影響。

GAMMA-X探測器應(yīng)盡可能保持在接近77 K的溫度，以盡量減少輻射損傷的程度。因此，為了這個目的，Streamline低溫恒溫器少了一個熱連接，是比PopTop更好的選擇。

客戶中子損傷可修復(fù)探測器
修復(fù)中子損傷的GAMMA-X探測器可以在我們的任何維修機構(gòu)進行，也可以由您自己在實驗室進行。如需獲取更多有關(guān)我們客戶中子損傷可修復(fù)GAMMA-X探測器的信息，請聯(lián)系我們。

集成低溫冷卻系統(tǒng)選件（-ICS-E）
集成低溫冷卻系統(tǒng)（ICS）低溫恒溫器配備有低溫冷卻器，不受回溫循環(huán)的影響。與使用標(biāo)準(zhǔn)型低溫恒溫器探測器的典型三天損失不同，ICS可以立即重新冷卻，限度地減少因臨時回溫而損失的任何時間。

SMART-1選件 (-SMN)
SMART-1選件用于監(jiān)控和報告重要的系統(tǒng)功能，還可保存驗證碼并在稍后報告該驗證碼。它包括高壓，因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅固的ABS模塑塑料外殼，并通過模塑密封電纜牢牢地固定在探測器端蓋上。這可避免探測器因水分泄漏到高壓連接器中而受到嚴(yán)重?fù)p壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置，不會干擾屏蔽罩或其他安裝硬件。

超高計數(shù)率前置放大器選件（-PL）
超高計數(shù)率前置放大器（晶體管復(fù)位前置放大器）可在1 MeV下處理高達1,000,000個計數(shù)/秒的輸入計數(shù)率，并具有無反饋電阻的額外優(yōu)勢。

惡劣環(huán)境選件（-HE）
惡劣環(huán)境選件是一個堅固的碳纖維端蓋，配有密封的電子設(shè)備外殼，并帶有可更換的干燥劑包，用以確保電子設(shè)備保持100％干燥并指示何時需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設(shè)計中的GMX系列探測器可配備此選件。

遠程前置放大器選件（-HJ）
此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外，并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移開。對于低本底應(yīng)用，此選件消除了可能增加屏蔽罩內(nèi)部本底的任何可能性，來源于前置放大器或高壓濾波器組件。

低本底碳纖維端蓋選件（-RB、-LB-C和-XLB-C）
低本底碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅固，產(chǎn)生的本底少，不腐蝕，并且可以檢測低于10 keV的能量。這種較低的本底材料可在特定計數(shù)時間內(nèi)降低最小可探測活度（MDA），這為在低本底計數(shù)應(yīng)用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的低Z值可提供低能量窗口，而不會產(chǎn)生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。

鋁窗選件（-A）
如果感興趣的能量超過20 keV，則可以選擇全鋁端蓋。

碳纖維窗選件（-CW）
碳纖維窗口可用于大于約8 keV的能量。雖然這個窗口不能通過所有較低的能量，但碳纖維的Z比Al低，并且不存在任何與Be相關(guān)的危險。